1N5711（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

1N5711 零件图片（仅供参考）

1N5711 规格参数

1N5711是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）制造的轴向封装肖特基二极管。该器件采用经典的金属-半导体结肖特基势垒结构，其核心在于利用金属与半导体接触形成的整流特性，而非传统PN结。这种架构从根本上决定了其性能优势，在正向导通时，多数载流子主导电流传输，因此几乎没有少数载流子的存储效应，这为高速开关应用奠定了物理基础。

得益于其肖特基架构，该二极管展现出极低的正向压降和超快的开关速度。其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，这使得它在高频电路中能有效减少开关损耗和信号失真。同时，在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为2pF，这一低电容特性进一步保障了其在射频和高频信号处理路径中的信号完整性，最小化了对高速信号的加载和衰减效应。

在电气参数方面，1N5711设计有70V的最大峰值反向电压，能够承受一定的反向电压冲击。其最大正向平均整流电流为15mA，最大功耗为250mW，这些参数定义了其适用于小信号处理的领域。器件采用DO-204AH（DO-35）轴向玻璃封装，这是一种经典、可靠且易于手工焊接和PCB安装的封装形式，具有良好的稳定性和一致性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的博通芯片代理渠道获取原装正品。

综合其技术特性，1N5711非常适用于需要高频整流、信号检波和高速开关的场合。典型应用包括VHF/UHF频段的射频检波器、混频器中的开关元件、高速采样保持电路以及仪器仪表中的小信号钳位与保护电路。其低电容和快速响应特性使其成为通信设备、测试测量设备及各类高频模拟前端设计中关键的无源器件之一。