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1N5711#T50 零件图片(仅供参考)

1N5711#T50
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1N5711#T50 规格参数

1N5711#T50是一款由Broadcom博通(AVAGO安华高科技)生产的轴向封装肖特基二极管。该器件采用经典的金属-半导体结(M-S结)肖特基势垒架构,其核心在于利用金属与N型半导体材料接触形成的整流特性。与传统的PN结二极管相比,肖特基势垒二极管的主要优势在于其极低的正向导通压降(Vf)和极快的开关速度,这得益于其工作原理是基于多数载流子(电子)的导电机制,从而避免了PN结中少数载流子存储与复合所带来的延迟。

该二极管具备多项突出特性,使其在高频和高速电路中表现优异。其反向恢复时间(trr)极短,通常在皮秒(ps)至纳秒(ns)量级,这使其在高速开关、信号检波和混频电路中至关重要。同时,在0V偏压、1MHz测试条件下的结电容(Cj)典型值仅为2pF,极低的寄生电容有效减少了高频信号下的损耗和失真,保证了信号完整性。其最大反向峰值电压(VRRM)为70V,最大正向平均整流电流(IF(AV))为15mA,最大功耗为250mW,这些参数定义了一个适用于小信号处理的高性能窗口。

在电气接口与参数方面,该器件采用标准的DO-204AH(DO-35)轴向玻璃封装,这种封装形式具有良好的可靠性和易于手工焊接或自动插件的特点。其电气参数在宽温范围内保持稳定,确保了设计的可预测性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的Broadcom代理商获取原装正品,并获得完整的技术支持与供货保障。

基于其高速、低电容和低正向压降的特性,1N5711#T50广泛应用于射频(RF)领域,例如作为VHF/UHF频段的检波器或混频器中的非线性元件。在高速数字电路中,它可用于信号钳位和保护。此外,在精密仪器仪表、通信接收机前端以及需要快速整流的低功耗开关电源辅助电路中,也能找到它的用武之地。其紧凑的轴向封装使其非常适合在空间受限的PCB布局或传统通孔技术设计中应用。

  • 型号:1N5711#T50
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):70V
  • 电流 - 最大值:15 mA
  • 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
  • 1N5711#T50,Broadcom(博通)产品一站式供应商。
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1N5711#T50 基本参数:

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