1N5767（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

1N5767 零件图片（仅供参考）

1N5767 规格参数

1N5767是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计制造的轴向封装PIN二极管，专为射频开关应用而优化。该器件采用经典的DO-35（DO-204AH）玻璃封装，其核心是一个单PIN结构。PIN二极管在射频领域扮演着关键角色，其工作原理基于在正向偏置下呈现低电阻特性，而在反向偏置下，其本征（I）层能够耗尽载流子，从而表现出一个由结电容主导的高阻抗状态。这种独特的电学特性使其成为构建高效、快速射频开关电路的理想选择。

该器件的性能特点突出体现在其优异的射频参数上。在反向偏置50V、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至0.4pF，这一极低的电容值意味着在关断状态下，它对高频信号的旁路效应极小，从而确保了出色的射频隔离度。在正向导通状态下，当通过100mA电流、工作于100MHz时，其串联电阻典型值为2.5欧姆，这为其带来了较低的插入损耗，有助于维持信号链路的完整性。其峰值反向电压高达100V，最大正向电流为100mA，最大功耗为250mW，这些参数共同定义了其可靠的工作边界。

在接口与参数方面，1N5767的轴向引线设计便于在PCB上进行跨接或安装在同轴结构中，适用于从高频到甚高频（VHF）乃至部分超高频（UHF）频段的电路。其宽泛的电压和电流工作范围，结合低电容与低电阻的特性，使其在切换速度和功率处理能力之间取得了良好平衡。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，通过博通授权代理进行采购是确保产品正宗与获取完整技术资料的有效途径。

基于上述特性，该二极管广泛应用于需要高速、低损耗射频信号路径切换的场景。典型应用包括通信系统的发射/接收（T/R）开关、天线调谐网络、可编程衰减器、以及测试测量设备中的信号路由模块。其稳健的性能使其成为工程师在设计和优化高频前端电路时，构建高可靠性射频开关的一个经久耐用的基础元件。