5082-2835（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

5082-2835 零件图片（仅供参考）

5082-2835 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的单肖特基二极管，5082-2835采用了经典的肖特基势垒金属-半导体结架构。这种架构的核心优势在于其极低的正向导通压降和极快的开关速度，这得益于多数载流子导电机制，有效避免了传统PN结二极管中少数载流子存储与复合所带来的延迟。其轴向DO-35（DO-204AH）玻璃封装不仅提供了良好的气密性与环境稳定性，也确保了器件在紧凑空间内的可靠应用。

该器件在电气性能上表现出色，其峰值反向电压（VRRM）为8V，最大正向平均整流电流（IF(AV)）为10mA，适用于低电压、小电流的信号处理场景。尤为突出的是其在0V偏压、1MHz测试条件下的结电容（Cj）典型值仅为1pF，这一极低的寄生电容特性使其在高频电路中能够最大限度地减少信号损耗与波形畸变，保持信号完整性。其最大功耗为150mW，在满足性能需求的同时兼顾了能效。

在接口与参数层面，5082-2835作为两端子轴向引线器件，便于在通孔PCB板上进行安装。其参数组合包括低反向电压、小额定电流、超低结电容及适中的功耗精准定位了其在高速开关、高频检波与信号钳位电路中的核心价值。对于需要确保原厂正品和稳定供货的工程项目，通过正规的博通授权代理进行采购是保障供应链可靠性与技术支持的关键。

基于上述技术特性，该二极管非常适合应用于对开关速度和频率响应有苛刻要求的领域。例如，在射频（RF）通信设备的检波与混频电路、高速数据采集系统的信号调理前端、以及精密仪器仪表中的保护与钳位环节，其快速响应和低电容特性能够显著提升系统整体性能。它也是便携式低功耗电子设备中实现高效电源路径管理和信号整流的理想选择之一。