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AFBR-S4N66C013 零件图片(仅供参考)

AFBR-S4N66C013
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AFBR-S4N66C013 规格参数

作为一款高性能硅光电倍增管(SiPM)产品,AFBR-S4N66C013采用了先进的6x6mm芯片级封装(CSP)技术,其核心传感单元由30微米像素尺寸的微单元阵列构成。这种架构设计在紧凑的物理尺寸内实现了高达36mm的有效感光面积,为高灵敏度探测提供了物理基础。芯片内部集成了优化的淬灭与读出电路,确保了在单光子水平上的高探测效率与优异的信噪比表现,其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

该器件在功能上专为弱光探测优化,其光谱响应范围覆盖300nm至900nm,并在420nm波长附近针对近紫外(NUV)及高能可见光具有增强的响应度。极低的典型暗电流(1.3A)与高达26.9V的最大反向工作电压,使其能够在极微弱的光信号条件下工作,同时具备良好的动态范围和抗过载能力。其表面贴装型封装便于集成到现代电子系统中,简化了生产组装流程。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的博通中国代理获取该产品及相关设计资源。

在电气接口与关键参数方面,AFBR-S4N66C013展现了作为先进光学传感器的核心特性。其宽光谱响应特性使其不仅能捕捉紫外光信号,也能对部分可见光与近红外光产生响应,应用灵活性高。结合其紧凑的封装尺寸与表面贴装工艺,该传感器能够轻松嵌入空间受限的便携式或嵌入式设备中,满足现代电子产品小型化、高集成的设计趋势。

基于其高灵敏度、宽光谱响应及坚固的封装,AFBR-S4N66C013非常适合应用于多个前沿技术领域。在生命科学仪器中,如流式细胞仪、DNA测序仪,它可用于检测微弱的荧光标记信号。在工业检测领域,可用于高精度的紫外光检测、烟雾探测以及低光度分析。此外,在粒子物理实验、辐射探测以及某些特定的安防传感系统中,其单光子级别的探测能力也能发挥关键作用,为精密测量和高端分析提供可靠的光电转换解决方案。

  • 型号:AFBR-S4N66C013
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:
  • 类目:传感器,变送器 > 光学传感器 > 光电二极管
  • 描述:SENSOR PHOTODIODE 420NM 32UBGA
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 波长:420nm
  • 颜色 - 增强:紫外线(UV)
  • 频谱范围:300nm ~ 900nm
  • 二极管类型:-
  • 不同 nm 时响应度:-
  • 响应时间:-
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):26.9 V
  • 电流 - 暗(典型值):1.3A
  • 有效面积:36mm
  • 视角:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-UBGA
  • AFBR-S4N66C013,Broadcom(博通)产品一站式供应商。
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AFBR-S4N66C013 基本参数:

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