AMMP-6545-TR1G（Broadcom博通，射频和无线 > 射频混频器，封装:8-SMD（5x5））

AMMP-6545-TR1G 零件图片（仅供参考）

AMMP-6545-TR1G 规格参数

作为一款面向毫米波频段的高性能射频集成电路，AMMP-6545-TR1G采用了先进的GaAs（砷化镓）工艺技术进行构建，其核心架构旨在实现18GHz至40GHz超宽频带内的卓越信号混频性能。该芯片集成了高度优化的单平衡混频器结构，内部集成了肖特基势垒二极管与匹配网络，这种设计有效抑制了本振（LO）信号的泄露，并优化了端口间的隔离度，为高频信号的线性转换提供了坚实的基础。

该器件的一个突出功能特点是其覆盖DBS（直播卫星）、LMDS（本地多点分配业务）和VSAT（甚小孔径终端）等主流射频应用类型的广泛兼容性。它能够在无需外部复杂匹配电路的情况下，在指定频段内稳定工作，这极大地简化了系统设计。其紧凑的8-QFN（8引脚扁平无引线）封装，即供应商器件封装中标注的8-SMD，不仅提供了优异的散热性能和电气特性，也满足了现代通信设备对高密度集成的迫切需求。

在接口与关键参数方面，AMMP-6545-TR1G作为单混频器芯片，其射频（RF）、本振（LO）和中频（IF）端口均针对毫米波频段进行了内部优化匹配。虽然具体的转换增益、噪声系数和电源参数未在基础描述中详列，但其设计定位明确指向要求高线性度、低互调失真和良好端口隔离的高频应用场景。工程师在选型时，可通过专业的博通芯片代理获取完整的数据手册以进行精确的链路预算和系统性能评估。

该芯片典型的应用场景包括点对点无线通信回传链路、卫星通信上行/下行变频模块以及各类测试测量设备中的毫米波前端。其18-40GHz的工作频率范围使其非常适合用于E波段和部分Ka波段的高容量数据传输系统，能够有效支持5G网络基础设施、航空航天通信以及高端雷达系统中对频率转换模块高性能、高可靠性的严格要求。