AT-31033-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT）

AT-31033-TR2G 零件图片（仅供参考）

AT-31033-TR2G 规格参数

AT-31033-TR2G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的NPN型射频双极结型晶体管（RF BJT）。该器件采用先进的硅基半导体工艺制造，其核心架构针对高频信号放大进行了优化，内部结构旨在实现低噪声和高增益特性，以满足对信号完整性要求苛刻的射频前端应用。其紧凑的SOT-23-3封装形式，使其非常适合高密度的表面贴装电路板设计。

在功能特性方面，该晶体管在900MHz频段表现出色，其噪声系数典型值仅为0.9dB至1.2dB，这意味着在放大微弱射频信号时引入的额外噪声极低，有助于提升接收机的灵敏度。同时，它提供了9dB至11dB的增益，能够有效提升信号强度。其直流电流增益（hFE）在1mA、2.7V条件下最小值为70，确保了良好的线性放大能力和电流驱动效率。最大集电极电流为16mA，最大功耗为150mW，在提供稳定射频性能的同时兼顾了能效。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的博通芯片代理渠道获取相关产品信息和技术支持。

该芯片的接口与电气参数定义了其应用边界。其集电极-发射极击穿电压最大值为5.5V，适用于低电压工作环境。表面贴装的安装方式与TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其结温（Tj）最高可支持至150°C，提供了较宽的工作温度范围，增强了在复杂环境下的可靠性。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在为新设计选型时应考虑替代方案或库存情况。

基于其低噪声和高增益的特性，AT-31033-TR2G主要面向900MHz频段附近的各类射频应用场景。典型应用包括无线通信模块中的低噪声放大器（LNA）级、UHF频段的便携式收发设备、无线传感器网络节点以及各类需要小信号放成的射频前端电路。其小型化封装也使其成为对空间有严格限制的消费电子和物联网设备中射频部分的理想选择。