AT-32063-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT）

AT-32063-TR1G 零件图片（仅供参考）

AT-32063-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频晶体管，AT-32063-TR1G采用了双NPN（双）结构，集成了两个独立的射频晶体管于单一微型封装内。这种架构使其特别适合于需要对称或差分信号处理的电路设计，能够在紧凑的空间内实现更复杂的射频前端功能。其核心基于硅工艺，确保了在宽频带范围内稳定的性能表现，为高频信号放大提供了可靠的基础。

该器件在射频性能上表现出色，其噪声系数在900MHz频点下典型值仅为1.1dB至1.4dB，这意味着它在放大微弱信号时引入的额外噪声极低，对于接收机前端灵敏度至关重要。同时，它提供了12.5dB至14.5dB的增益，能够有效提升信号强度。在直流特性方面，器件在5mA集电极电流和2.7V集射极电压条件下，最小直流电流增益（hFE）为50，确保了良好的电流放大能力。其集电极电流最大额定值为32mA，最大功耗为150mW，平衡了性能与功耗的需求。

AT-32063-TR1G采用表面贴装型的6-TSSOP（SC-88，SOT-363）封装，体积小巧，非常适合高密度PCB布局。其集射极击穿电压最大值为5.5V，工作结温高达150°C，提供了稳健的工作范围和一定的环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的博通芯片代理渠道获取该器件及相关技术资料。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具应用价值。

凭借其低噪声、高增益及双晶体管集成特性，该芯片典型应用于900MHz频段附近的无线通信模块、低噪声放大器（LNA）、射频信号放大链以及便携式无线设备的前端电路中。其微型封装也使其成为对空间有严格限制的紧凑型消费电子产品和物联网（IoT）设备的理想选择，能够在有限的板载面积内实现高效的射频信号调理功能。