AT-41533-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT）

AT-41533-TR1G 零件图片（仅供参考）

AT-41533-TR1G 规格参数

AT-41533-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的NPN硅双极结型晶体管，专为射频应用而优化。该器件采用成熟的SOT-23-3表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了出色的射频性能与可靠性，是高频信号放大与处理电路中的关键元件。

该晶体管的核心架构基于高性能的NPN双极工艺，其设计重点在于优化高频特性与噪声表现。集电极-发射极击穿电压额定为12V，最大集电极电流为50mA，最大功耗为225mW，确保了在典型工作条件下的稳定运行。其低噪声系数尤为突出，在900MHz至2.4GHz的广泛频段内，典型值仅为1dB至1.6dB，这对于接收机前端放大等对信号纯净度要求极高的应用至关重要。同时，器件在相应频段提供了9dB至14.5dB的功率增益，能够有效提升信号强度。

在直流特性方面，该晶体管在5V Vce和5mA Ic条件下，直流电流增益（hFE）最小值为30，提供了良好的线性度基础。其结温（TJ）最高可承受150°C，适应于具有一定环境温度要求的应用场景。作为一款已停产的经典型号，其技术规格和性能参数在行业内具有很高的参考价值，用户可通过正规的博通授权代理渠道获取库存或技术资料支持。

凭借其优异的噪声和增益性能组合，AT-41533-TR1G非常适合应用于无线通信模块、GPS接收前端、ISM频段（如915MHz，2.4GHz）设备以及各类射频放大链路中。其SOT-23封装形式便于集成到高密度的PCB布局中，满足现代电子产品小型化的设计趋势。尽管状态为停产，但其设计理念和性能指标对于理解同类射频晶体管的选择与应用仍具有重要的指导意义。