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AT-41586-TR2G 零件图片(仅供参考)

AT-41586-TR2G
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AT-41586-TR2G 规格参数

作为一款高性能射频晶体管,AT-41586-TR2G采用了先进的NPN双极结型晶体管(BJT)架构,专为低噪声、高增益的射频放大应用而设计。其核心基于硅基工艺,能够在高达8GHz的跃迁频率下稳定工作,确保了在微波频段优异的信号处理能力。该器件采用紧凑的表面贴装封装,便于集成到高密度的电路板设计中。

在功能表现上,该晶体管在1GHz至4GHz的宽频带范围内展现出卓越的噪声性能,典型噪声系数低至1.4dB至3dB,这对于接收机前端放大等对信号纯净度要求极高的应用至关重要。同时,其增益范围覆盖8dB至17dB,提供了灵活的信号放大能力,用户可以根据具体电路需求进行优化。集电极-发射极击穿电压最高可达12V,最大集电极电流为60mA,最大功耗为500mW,这些参数共同定义了其稳健的工作边界。其直流电流增益(hFE)在10mA、8V条件下最小值为30,保证了良好的线性放大特性。

该器件提供了标准化的接口与参数,采用SOT-86(供应商器件封装为86塑料)封装,兼容自动化表面贴装生产线,大幅提高了生产效率和一致性。其电气参数,如低噪声系数、高增益和宽工作频率,使其成为射频链路中低噪声放大器(LNA)、驱动放大器或振荡器电路的核心选择。工程师在选型时,可通过正规的博通代理商获取完整的数据手册、应用笔记以及技术支持,以确保设计符合系统级要求。

在应用场景方面,AT-41586-TR2G非常适合部署在无线通信基础设施、卫星通信终端、雷达系统、测试测量设备以及各类需要高频信号处理的消费电子和工业设备中。其平衡的性能指标,特别是在C波段及以下频段的低噪声与高增益特性,使其成为提升系统接收灵敏度和信号完整性的关键元器件。

  • 制造商产品型号:AT-41586-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
  • 频率 - 跃迁:8GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • 增益:8dB ~ 17dB
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60mA
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:SOT-86
  • 供应商器件封装:86 塑料
  • AT-41586-TR2G,Broadcom(博通)产品一站式供应商。
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AT-41586-TR2G 基本参数:

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