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ATF-53189-TR2 零件图片(仅供参考)

ATF-53189-TR2
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ATF-53189-TR2 规格参数

ATF-53189-TR2是一款由Broadcom博通(AVAGO安华高科技)设计生产的pHEMT FET晶体管,采用先进的赝配高电子迁移率晶体管技术。该器件在900MHz工作频率下展现出卓越的射频性能,其核心架构基于优化的半导体材料层叠结构,旨在实现高增益、低噪声与良好线性度的平衡。这种设计使得晶体管在放大微弱射频信号时,能有效抑制内部噪声的产生与干扰,为前端接收链路提供了坚实的基础。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的综合性能指标上。在4V测试电压和135mA测试电流的典型工作点下,器件可提供高达17.2dB的增益,同时保持极低的0.8dB噪声系数,这对于提升接收机灵敏度至关重要。其输出功率能力达到21.7dBm,确保了足够的信号驱动能力。此外,高达7V的额定电压和300mA的额定电流为其提供了宽裕的工作余量和可靠性保障,使其能在一定范围的供电波动下稳定工作。其封装采用紧凑的TO-243AA(供应商封装为SOT-89-3),便于在空间受限的PCB板上进行布局与焊接。

在接口与参数层面,ATF-53189-TR2作为一款三端器件,其接口标准且简洁。工程师在应用时需重点关注其静态工作点的设置,以在增益、噪声、线性度和功耗之间取得最佳折衷。其S参数和噪声参数在数据手册中有详细描述,是进行匹配电路设计的关键依据。为了确保获得原装正品和稳定的供货渠道,建议通过授权的博通一级代理进行采购。

基于上述技术特性,ATF-53189-TR2非常适合应用于对噪声和增益有严格要求的无线通信设备前端。典型应用场景包括900MHz频段的无线基础设施(如微微蜂窝、毫微微蜂窝基站)、ISM频段设备、专业移动无线电以及各类需要低噪声放大的接收机模块。它在这些系统中常被用作低噪声放大器,有效提升系统的整体信噪比和接收范围。

  • 型号:ATF-53189-TR2
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET PHEMT FET 4V SOT89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:pHEMT FET
  • 配置:-
  • 频率:900MHz
  • 增益:17.2dB
  • 电压 - 测试:4 V
  • 额定电流(安培):300mA
  • 噪声系数:0.8dB
  • 电流 - 测试:135 mA
  • 功率 - 输出:21.7dBm
  • 电压 - 额定:7 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
  • ATF-53189-TR2,Broadcom(博通)产品一站式供应商。
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ATF-53189-TR2 基本参数:

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