HMPP-3895-TR2（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HMPP-3895-TR2 零件图片（仅供参考）

HMPP-3895-TR2 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频PIN二极管，HMPP-3895-TR2采用了双独立PIN结的架构。这种设计使其在射频信号路径中能够实现高效的开关与衰减功能，两个独立的PIN结可以灵活配置，支持更复杂的电路拓扑，例如串联或并联使用，以满足不同的插入损耗和隔离度要求。其核心半导体结构在零偏或反偏时呈现为可变电阻，这一特性是其在射频领域广泛应用的基础。

该器件的关键性能体现在其优异的射频特性上。在5V反向偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至0.3pF，这一极低的电容值确保了在高频工作状态下，器件对信号路径引入的容性负载极小，从而维持了良好的信号完整性。同时，在5mA正向电流、100MHz条件下，其串联电阻仅为2.5欧姆，这意味着在“导通”状态下，信号通过时的损耗被控制在很低的水平。高达100V的峰值反向电压和150°C的最高结温，赋予了它出色的可靠性与环境适应性。

在接口与物理规格方面，HMPP-3895-TR2采用了紧凑的0505（1412公制）封装，非常适合高密度的表面贴装应用。其最大正向电流为1A，能够处理一定的射频功率。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的参数使其在特定领域仍有应用价值，用户可通过正规的博通中国代理渠道获取库存或替代方案咨询。这些参数共同定义了一个适用于中高频段、要求低损耗和高隔离度的射频控制元件。

基于其技术特点，该芯片典型应用于需要快速、可靠射频信号切换与调制的场景。例如，在通信基站的天线调谐模块中，可用于实现不同频段间的切换；在测试测量设备如矢量网络分析仪中，可作为可编程衰减器或开关矩阵的核心部件；此外，在军用电子对抗、高性能射频开关等领域也能找到其用武之地。其小型化封装尤其契合现代通信设备向小型化、集成化发展的趋势。