HSMP-381E-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMP-381E-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMP-381E-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-381E-TR1G采用了先进的半导体工艺，其核心架构为一对共阳极配置的PIN结。这种结构在零偏置或反向偏置下呈现为一个受电压控制的可变电阻，其本征层（I层）的厚度经过优化，确保了在射频信号控制与切换应用中的优异性能。该器件在高达100V的峰值反向电压下仍能保持稳定工作，为电路设计提供了宽裕的安全裕度。

在功能特性方面，该芯片展现出卓越的射频性能。其关键参数包括在50V反向偏压、1MHz测试条件下的极低结电容，典型值仅为0.35pF，这使其在高频环境下引入的寄生效应极小，有助于维持系统带宽和信号完整性。同时，在100mA正向电流、100MHz条件下的串联电阻低至3欧姆，保证了在导通状态下具有较低的插入损耗。这些特性共同构成了其作为高效射频开关或衰减器核心元件的技术基础，博通芯片代理渠道可为相关设计项目提供完整的技术支持与供应链服务。

该器件采用紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，增强了在严苛热环境下的可靠性。最大正向电流为1A，能够处理一定的功率电平。接口设计简洁，其共阳极配置简化了偏置电路的设计，便于在差分或单端电路中进行集成与控制。

基于其高速开关、低损耗和良好的线性度，HSMP-381E-TR1G主要面向需要精密信号控制的射频前端应用。典型应用场景包括蜂窝基站、微波通信系统中的收发切换（T/R Switch）、可编程衰减器、以及测试测量设备中的信号路径选择。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统和备件供应中，它仍然是一个具有参考价值的高性能射频解决方案。