HSMP-381F-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMP-381F-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMP-381F-TR2G 规格参数

HSMP-381F-TR2G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频PIN二极管，采用SOT-323（SC-70）微型封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的PIN二极管，这种结构使其在射频开关、衰减器及限幅器电路中能够实现紧凑且对称的布局。其核心在于利用PIN结的I层（本征层）特性，在正向偏置时表现为一个由注入电流控制的可变电阻，而在反向偏置或零偏置时则呈现为一个低损耗、电压可变的电容，这一物理机制是其实现高速射频控制功能的基础。

该二极管的关键性能体现在其优异的射频特性上。在反向偏置条件下，其结电容极低，典型值仅为0.35pF @ 50V, 1MHz，这确保了在高频乃至微波频段下具有极低的插入损耗和优异的隔离度。在正向偏置时，其串联电阻典型值为3欧姆 @ 100mA, 100MHz，提供了良好的导通状态。同时，它具备高达100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，以及150°C的最高结温，赋予了其强大的功率处理能力和高可靠性。这些参数共同构成了其在苛刻射频环境下的稳定工作保障。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚SOT-323表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其电气接口简单，主要通过控制直流偏置来切换射频通路的状态。除了上述核心参数，其宽泛的工作电压和电流范围使其能够灵活适配不同的驱动电路设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的博通中国代理获取该产品的技术支持和库存信息。

基于其高速切换、低损耗和高功率耐受性，HSMP-381F-TR2G非常适合应用于对性能有严格要求的领域。典型应用包括蜂窝基站、微波通信系统中的射频开关矩阵和可编程衰减器，测试与测量设备中的信号路由与调制，以及雷达系统中的接收机保护限幅器。其微型封装也使其成为手机等便携式无线设备中前端模块（FEM）内集成控制功能的潜在选择，尽管其状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件供应中仍具有重要价值。