HSMP-386C-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMP-386C-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMP-386C-TR1G 规格参数

HSMP-386C-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频PIN二极管。该器件采用串联配置的单对PIN结构，其核心在于利用本征半导体层（I层）在正向偏置下可存储电荷的特性，实现对射频信号的可变阻抗控制。这种架构使其在特定频率范围内，能够通过直流偏置电流精确调节其射频电阻值，从而在电路中扮演高效电子开关或衰减器的角色。

该器件的一个显著功能特点是其极低的寄生电容与串联电阻组合。在50V反向偏置电压、1MHz测试条件下，其电容值低至0.2pF，这确保了在高频应用时具有优异的隔离度，能有效减少信号泄漏。同时，在100mA正向偏置电流、100MHz条件下，其射频电阻仅为1.5欧姆，这意味着在“导通”状态下能实现很低的插入损耗，保证信号传输效率。其峰值反向电压高达50V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的偏置工作范围和良好的功率处理潜力。其紧凑的SC-70（SOT-323）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也利于在高密度射频模组中集成。

在接口与参数方面，该器件的工作结温高达150°C，展现了良好的热稳定性，适用于环境要求相对严苛的场合。其电气参数，特别是电容与电阻随偏置变化的特性，是射频电路设计中进行精确匹配和性能优化的关键依据。用户可通过博通授权代理获取完整的技术资料与设计支持。这些特性共同决定了其典型应用场景，包括但不限于蜂窝基站、无线基础设施中的收发（T/R）开关、可编程衰减器、以及高频信号路由选择电路。在需要快速、低损耗地切换或调制射频信号路径的系统中，HSMP-386C-TR1G凭借其快速开关速度与优异的线性度，能够有效提升系统整体性能与可靠性。