HSMP-386F-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMP-386F-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMP-386F-TR2G 规格参数

在射频信号处理与开关控制领域，HSMP-386F-TR2G是一款采用先进半导体工艺制造的PIN二极管对。其核心架构基于一对共阴极配置的PIN结构，这种设计在单一紧凑封装内集成了两个性能一致的二极管单元，为射频电路设计提供了对称且高效的开关与衰减解决方案。该器件利用PIN二极管在正向偏置下呈现低阻抗、反向偏置下呈现高阻抗的特性，结合其极低的结电容，能够实现对高频信号的快速、精准控制。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。其在50V反向电压和1MHz测试条件下的典型结电容仅为0.2pF，这一极低的寄生电容值确保了在高频乃至微波频段下，信号通过时的插入损耗极小，对电路系统的频率响应影响微乎其微。同时，在100mA正向电流和100MHz条件下的典型串联电阻低至1.5欧姆，这赋予了它出色的导通状态性能，能够有效降低信号在开关“开”状态下的衰减。高达50V的峰值反向电压和1A的最大正向电流规格，提供了宽裕的设计余量和可靠的耐用性。其结温最高可承受150°C，适应严苛的工作环境。

在接口与物理参数方面，HSMP-386F-TR2G采用了微型化的SC-70（SOT-323）表面贴装封装。这种封装不仅节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度集成设计，而且其优异的封装寄生参数也有助于维持器件本身的高频性能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量市场和经典设计中仍具参考价值，用户可通过可靠的博通芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

得益于其卓越的高频特性，该器件主要应用于需要高性能射频开关、衰减器或限幅器的场景。例如，在蜂窝基站、微波通信链路、测试测量仪器以及军用雷达系统中，它常被用于天线调谐、信号路径切换、增益控制或接收机保护电路。其共阴极的配对形式特别适合于需要对称控制的平衡式电路架构，为工程师实现低损耗、高隔离度的射频前端设计提供了关键元件支持。