HSMP-3890-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMP-3890-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMP-3890-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-3890-TR1G采用了经典的PIN结构。该结构在P型和N型半导体之间引入了一层本征（I）区，这一设计使其在高频工作状态下展现出独特的电学特性。本征区的存在使得器件在正向偏置时能够存储电荷，表现为一个受电流控制的可变电阻；而在反向偏置时，则形成一个几乎恒定的低电容，这对于实现高效的射频信号控制至关重要。

该器件的核心优势体现在其卓越的高频性能参数上。在反向偏置条件下，其结电容极低，典型值仅为0.3pF @ 5V， 1MHz，这确保了在高达数GHz的射频范围内，信号通过时的插入损耗和相位失真被降至最低。在正向偏置时，其串联电阻同样表现出色，典型值为2.5欧姆 @ 5mA， 100MHz，这为射频开关和衰减器应用提供了优异的导通状态性能。其100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，赋予了它良好的功率处理裕量和可靠性，最高结温可达150°C，适应严苛的工作环境。

在接口与封装方面，HSMP-3890-TR1G采用了业界通用的SOT-23-3表面贴装封装（亦称为TO-236-3或SC-59）。这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，便于高密度集成，其标准化的引脚排布也简化了电路设计和生产组装流程。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过授权的博通代理商获取该产品的库存、数据手册及设计支持服务。

基于上述特性，HSMP-3890-TR1G非常适合应用于对高频性能和尺寸有严格要求的场景。它常被用作射频开关中的核心控制元件，在蜂窝基站、无线通信模块中实现信号路径的切换；在可调衰减器设计中，通过控制偏置电流来精确调节信号强度；此外，在限幅器电路中，它能有效保护后端灵敏的接收机电路免受大功率信号的冲击。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件供应中，它依然是一个经过验证的可靠选择。