HSMP-389F-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMP-389F-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMP-389F-TR2G 规格参数

本文档介绍HSMP-389F-TR2G，这是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频PIN二极管。该器件采用一对共阴极配置的PIN结构，其核心在于利用本征半导体层（I层）在高频下的电荷存储效应，实现对射频信号的有效控制。这种架构使其在正向偏置时呈现低阻抗，而在反向偏置时，其结电容极小，从而在宽频带范围内具备优异的射频开关与衰减性能。

该芯片的功能特点突出体现在其高频参数上。在5V反向偏压、1MHz测试条件下，其典型结电容低至0.3pF，这一特性对于维持高频电路的信号完整性、减少插入损耗至关重要。同时，在5mA正向电流、100MHz条件下，其串联电阻仅为2.5欧姆，确保了在导通状态下具有较低的损耗。器件可承受高达100V的峰值反向电压，最大正向电流为1A，结合其紧凑的SC-70（SOT-323）封装，为高密度PCB布局提供了便利。其结温最高可达150°C，保证了在严苛环境下的工作可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但在存量市场或特定设计中，通过专业的Broadcom代理商仍可获取，用于维护或升级既有系统。

在接口与参数方面，HSMP-389F-TR2G作为一款表面贴装器件，其SOT-323封装引脚定义清晰，便于集成。其关键电气参数，如极低的结电容和串联电阻，直接决定了它在射频路径中的表现。这些参数使其非常适合应用于需要快速切换和高隔离度的场景。

基于其技术特性，HSMP-389F-TR2G主要面向高频应用场景。它常被用于蜂窝基站、无线通信设备中的射频开关电路，实现信号在不同路径间的切换。此外，在可调衰减器、限幅器以及高频信号的调制电路中，也能发挥其性能优势。其宽工作温度范围也使其能够适应户外或工业环境中的射频前端模块设计。