HSMP-4890-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMP-4890-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMP-4890-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-4890-TR1G的核心架构基于高性能的单PIN结。该器件在零偏压或反向偏压状态下，其本征I层展现出极低的结电容，而在正向偏置时，I层中注入的载流子则使其呈现为一个由电流控制的可变电阻。这种独特的物理结构，使其能够在射频信号路径中实现高效的开关与衰减功能，其性能在同类SOT-23封装器件中表现突出。

该二极管的关键特性在于其优异的射频性能参数组合。在5V反向偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至0.375pF，这确保了在高频应用时具有极低的信号插入损耗和优异的隔离度。同时，在5mA正向电流、100MHz条件下，其串联电阻仅为2.5欧姆，这为其在导通状态下提供了较低的插入损耗，保证了信号传输的效率。其高达100V的峰值反向电压和150°C的最高结温，赋予了器件良好的可靠性与鲁棒性，能够适应较为严苛的工作环境。

在接口与封装方面，HSMP-4890-TR1G采用标准的TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）表面贴装封装。这种小型化封装不仅节省了宝贵的电路板空间，也便于自动化贴装生产，非常适合高密度集成的现代射频模组设计。用户在设计时需注意，该器件已处于停产状态，在为新项目选型时需评估供应链的长期可获得性，或考虑其后续替代型号。对于库存采购或特定需求，可以咨询专业的Broadcom代理商以获取更详细的产品生命周期与库存信息。

基于其技术参数，该芯片典型的应用场景集中在需要精密控制射频信号路径的领域。它非常适合用于蜂窝基站、微波通信系统中的射频开关矩阵，实现信号在不同通道间的快速切换。同时，其可变电阻特性也使其成为可编程射频衰减器的理想选择，用于自动增益控制（AGC）环路或信号电平的精确调整。此外，在测试测量设备、卫星通信终端以及高性能无线局域网设备中，也能见到此类高性能PIN二极管的身影，用于提升系统的整体线性度和动态范围。