HSMS-2800-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-2800-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-2800-TR2G 规格参数

HSMS-2800-TR2G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基射频二极管。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装，其核心架构基于高性能的肖特基势垒结，专为优化射频信号处理而设计。其单二极管结构在实现高频性能的同时，确保了设计的简洁性与可靠性，适用于对空间和寄生效应敏感的电路板布局。

该二极管的关键特性在于其优异的射频性能组合。它具备高达70V的峰值反向电压，提供了良好的电压耐受性，有助于提升电路的鲁棒性。在射频应用中至关重要的低寄生参数方面，HSMS-2800-TR2G表现出色，其结电容在0V偏压下低至2pF（测试条件1MHz），这有效减少了高频信号路径上的损耗和相位失真。同时，其串联电阻在5mA正向电流下为35欧姆（1MHz），有助于维持较低的导通损耗和热生成。

在接口与参数方面，器件支持最大1A的连续正向电流，能够处理一定的功率电平。其工作结温高达150°C，拓宽了在高温环境或高功率密度应用中的适用范围。标准的SOT-23-3封装（TO-236-3）便于自动化贴装，适合大规模生产。工程师在选型时，可通过专业的博通代理商获取完整的技术资料、样品支持以及停产替代方案咨询。

HSMS-2800-TR2G典型的应用场景包括高频检波、混频器、低功耗射频开关以及信号采样电路。其低电容特性使其非常适合用于微波频段的低损耗开关和检波器设计，例如在通信接收机前端或测试测量设备中。尽管该型号已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在评估类似射频肖特基二极管时仍具有重要参考价值，现有库存或替代型号在特定对成本敏感或无需重新认证的延续性项目中仍有应用。