HSMS-2802-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-2802-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-2802-TR2G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-2802-TR2G采用了先进的半导体工艺，其核心架构基于一对串联的肖特基结。这种串联结构设计不仅有助于提升器件的整体耐压能力，还能在射频应用中提供更优的匹配特性和信号处理性能。器件内部通过精密的半导体材料与金属接触形成肖特基势垒，确保了在高速开关状态下仍能保持极低的电荷存储效应，这对于高频信号的检波、混频等处理至关重要。

该器件在功能上表现出显著的高频特性优势。其反向恢复时间极短，这得益于肖特基二极管固有的多数载流子导电机制，使其能够快速响应GHz频段的信号变化。在0V偏压和1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为2pF，这一低电容特性最大限度地减少了其对高频信号的旁路损耗，保证了信号路径的完整性。同时，在5mA正向电流和1MHz条件下，其串联电阻为35欧姆，较低的电阻有助于降低信号在通过二极管时的插入损耗，提升系统效率。

在接口与关键参数方面，HSMS-2802-TR2G提供了稳健的电气性能。其峰值反向电压高达70V，为电路提供了宽裕的电压裕度，增强了在瞬态电压冲击下的可靠性。最大正向电流为1A，能够承受一定的功率处理需求。器件采用标准的TO-236-3（SC-59，SOT-23-3）表面贴装封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中进行自动化贴装，适合高密度集成。其结温（Tj）最高可工作在150°C，确保了在高温环境下的稳定运行。用户可通过博通授权代理获取完整的技术规格与供应链支持。

基于其优异的射频性能，该芯片广泛应用于需要高频信号处理的领域。它非常适合用作微波频段的检波器，将高频交流信号转换为可用的直流电压；在混频器电路中，它能实现信号的频率上变频或下变频，是通信接收前端的核心元件之一。此外，在高速开关、信号采样以及低功耗射频识别（RFID）系统中，其快速开关和低损耗特性也能发挥关键作用。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护和特定设计项目中，它仍然是一个经过验证的可靠选择。