HSMS-2808-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-2808-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-2808-TR1G 规格参数

HSMS-2808-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的肖特基势垒射频二极管。该器件采用单桥接结构，核心架构基于高性能的肖特基结，其金属-半导体接触特性使其在射频信号处理中具备极快的开关速度和极低的正向压降。这种设计使其在微波和射频电路中能够高效地执行检波、混频、开关和限幅等关键功能，同时将寄生参数的影响降至最低。

该二极管在电气性能上表现出色，其峰值反向电压（VRM）高达70V，最大正向电流（IF）为1A，这为其在多种电压和功率条件下提供了可靠的工作余量。尤为关键的是其射频特性，在零偏压（0V）和1MHz测试频率下，结电容（Cj）低至2pF，而在5mA正向电流和1MHz条件下，串联电阻（Rs）为35欧姆。这些低电容与低串联电阻的组合，是决定射频二极管高频性能的核心指标，直接关系到信号插入损耗、隔离度以及工作频率上限，使其能够胜任VHF至微波频段的应用。

在封装与可靠性方面，HSMS-2808-TR1G采用紧凑的SOT-143-4（TO-253-4）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其结温（TJ）额定值为150°C，确保了在高温环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定存量应用和设计中仍具参考价值。对于需要此类高性能射频肖特基二极管的工程师，可以通过专业的博通中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

该器件典型的应用场景包括通信设备中的射频信号检波、便携式设备的天线开关电路、测试测量仪器中的混频器前端，以及需要快速响应和高频处理的限幅保护电路。其平衡了电压耐受能力与高频性能的特点，使其成为中低功率射频系统设计中一个经典且值得考虑的选择。