HSMS-280B-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-280B-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-280B-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-280B-TR1G采用了先进的肖特基势垒半导体工艺。其核心架构基于金属-半导体结原理，相较于传统的PN结二极管，该结构在正向导通时具有更低的开启电压和更快的开关速度，这使其在射频信号处理中表现出色。器件内部集成了优化的单管芯结构，确保了信号路径的简洁与高效，同时通过精密的半导体掺杂与界面控制技术，实现了优异的频率响应与稳定性。

该器件在功能上最显著的特点是极低的结电容与串联电阻。在0V偏压、1MHz测试条件下，其典型结电容仅为2pF，这一特性最大限度地减少了其对高频信号的旁路效应，保证了信号完整性。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下测得的串联电阻为35欧姆，较低的电阻值有助于降低信号在二极管上的损耗，提升系统效率。结合高达70V的峰值反向电压与1A的最大正向电流能力，博通授权代理提供的这款器件在射频电路中展现出良好的耐用性与可靠性。

在物理接口与参数方面，HSMS-280B-TR1G采用了紧凑的SOT-323（亦称SC-59或TO-236-3）三引脚表面贴装封装。这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的寄生参数。其工作结温高达150°C，能够适应相对严苛的热环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值。

基于其低电容、低电阻和快速开关的特性，该芯片非常适合应用于高频信号检波、混频器、低功耗射频开关以及高速逻辑电平钳位等场景。例如，在便携式通信设备、射频识别（RFID）读写模块或测试测量仪器的前端电路中，它可以高效地完成小信号整流或高频开关任务。其70V的反向耐压也为其在部分需要一定电压裕度的保护或偏置电路中提供了应用可能。