HSMS-280C-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-280C-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-280C-TR1G 规格参数

HSMS-280C-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置，封装于紧凑的SOT-323（SC-70）封装内。该器件专为射频（RF）应用优化，其核心架构基于高性能肖特基结技术，通过将两个二极管串联集成于单一芯片，有效提升了反向击穿电压能力，同时保持了肖特基二极管固有的低正向压降和快速开关特性，为高频信号处理提供了可靠的半导体基础。

该芯片的功能特点突出体现在其射频性能上。其极低的结电容（典型值2pF @ 0V， 1MHz）是其在高频下保持优异性能的关键，这显著减少了信号路径上的寄生电容，从而最小化了对高频信号的衰减和相位失真，确保了信号完整性。同时，串联结构提供了高达70V的峰值反向电压，增强了电路的耐用性和电压处理能力。其串联电阻在典型工作条件下（5mA， 1MHz）为35欧姆，结合高达1A的最大正向电流能力，使其能够处理一定的功率电平，适用于多种信号调制与检测场景。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过博通中国代理获取相关产品信息与技术支持。

在接口与关键参数方面，HSMS-280C-TR1G采用标准的三引脚SOT-323封装，便于自动化贴装和高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在现有系统和备件供应中仍具有重要价值。其参数组合包括高反向电压、低电容、适中的串联电阻以及紧凑的封装形式共同定义了一个适用于中高频段、对电压耐受性和信号保真度有要求的应用边界。

该器件的典型应用场景广泛覆盖了射频电路设计领域。它常被用于混频器、检波器、采样保持电路以及高频信号整流等关键模块中。其低电容特性使其非常适合VHF至UHF频段的信号处理，例如在通信接收机的前端作为检波二极管，或在测试测量设备中用于精确的峰值检测。此外，其70V的反向电压额定值也使其能够应用于一些需要承受较高电压摆幅的射频开关或限幅器电路中，为系统提供有效的信号调理和保护功能。