HSMS-280E-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-280E-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-280E-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管对，HSMS-280E-TR1G采用了先进的1对共阳极架构。这种结构将两个独立的肖特基二极管集成在单一芯片上，并共享一个阳极引脚，为电路设计提供了紧凑且对称的解决方案，特别适用于需要平衡信号处理或高频整流的场合。其核心半导体工艺确保了在射频及微波频段下优异的开关速度与低噪声性能。

该器件在射频信号处理方面展现出显著优势，其极低的结电容（典型值2pF @ 0V, 1MHz）是核心亮点之一，这使其在高频应用中能有效减少信号损耗和相位失真，保持信号完整性。同时，35欧姆的典型串联电阻（@ 5mA, 1MHz）与高达70V的峰值反向电压相结合，在提供足够反向击穿保护的同时，兼顾了正向导通时的效率。高达150°C的结温（TJ）使其能在更宽的环境温度范围内稳定工作，提升了系统的可靠性。对于需要获取此型号进行设计验证或备货的工程师，可以通过授权的博通代理商查询库存与技术支持。

在接口与物理特性上，HSMS-280E-TR1G采用了微型化的SC-70（SOT-323）表面贴装封装。这种封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间，其紧凑的尺寸也利于减少寄生参数，对维持高频性能至关重要。器件标称的最大正向电流为1A，能够满足多数中小功率射频电路的需求。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时需评估替代方案或长期供货计划。

基于其技术特性，该芯片典型应用于射频信号检波、混频器电路、高频整流以及低功耗微波开关等场景。例如，在通信设备的功率检测模块中，其低电容和快速开关特性可用于精确的高频AC信号到DC信号的转换；在平衡混频器设计中，其共阳极配对结构能有效抑制共模噪声，提升动态范围。它是面向VHF至微波频段、对器件尺寸和频率响应有严格要求的设计中的经典选择之一。