HSMS-280L-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-280L-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-280L-TR2G 规格参数

HSMS-280L-TR2G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管阵列。该器件采用紧凑的6引脚SOT-363（SC-88）封装，内部集成了三个独立的肖特基二极管单元，为高频电路设计提供了高度集成的解决方案。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术，通过优化的半导体工艺实现了极低的结电容和串联电阻，这是保障其在射频领域高性能表现的基础。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。在0V偏压和1MHz测试条件下，其典型结电容低至2pF，这一特性使其对高频信号的旁路效应降至最低，非常适合用于高频信号的检波、混频以及低损耗开关应用。同时，在5mA正向电流和1MHz条件下，其典型串联电阻为35欧姆，较低的导通电阻有助于减少信号在通过二极管时的功率损耗。器件具备高达70V的峰值反向电压，提供了良好的反向击穿保护，而最高1A的连续正向电流能力则确保了其在脉冲或中等功率应用中的可靠性。其结温最高可工作在150°C，展现了宽温工作的稳定性。

在接口与参数方面，除了上述电气特性，其SOT-363表贴封装形式非常适合高密度PCB布局，满足了现代便携式和微型化电子设备对空间的要求。虽然该产品目前已处于停产状态，但其设计规格和性能参数在特定应用领域仍具有参考价值。对于需要寻找替代方案或库存元件的工程师，可以咨询专业的博通代理商以获取相关的产品与技术支援。

HSMS-280L-TR2G典型的应用场景包括但不限于微波频段的低功耗检波器、UHF频段的混频器、以及通信设备中的高速开关电路。其低电容和低电阻的特性使其在需要高频率响应和低插入损耗的场合，如射频识别（RFID）读写器前端、测试测量仪器探头以及卫星接收模块中，都能发挥关键作用。