HSMS-280P-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-280P-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-280P-TR1G 规格参数

在射频信号处理领域，HSMS-280P-TR1G是一款采用肖特基势垒技术的表面贴装射频二极管。其核心架构基于两对串联的肖特基二极管单元，这种设计在紧凑的封装内实现了优异的电气平衡与匹配特性，特别适合需要对称或桥式配置的电路应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，确保了在宽频带范围内稳定且可重复的性能表现。

该器件的一个突出功能特点是其极低的结电容与串联电阻组合。在零偏压、1MHz测试条件下，其典型结电容仅为2pF，而在5mA正向电流、1MHz条件下，其典型串联电阻为35欧姆。这种低损耗特性使其在高频开关、信号检波与混频等应用中能有效减少信号衰减和失真，保持信号的完整性。同时，其高达70V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，提供了良好的耐压裕度和电流处理能力，增强了电路的可靠性。

在接口与参数方面，博通代理商通常强调其封装优势。该芯片采用标准的6引脚TSSOP（SC-88， SOT-363）封装，体积小巧，非常适合高密度PCB布局，满足现代便携式和微型化电子设备的需求。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境或高功率密度设计中的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在特定存量或延续性项目中仍具参考价值。

基于上述技术特性，HSMS-280P-TR1G主要面向需要高性能射频信号处理的场景。它常见于通信设备的混频器、检波器电路，以及测试测量仪器中的高速开关和采样保持电路。其低电容特性也使其适用于UHF及更高频段的电路设计，是工程师在追求高频响应和低插入损耗时的经典选择之一。