HSMS-281E-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-281E-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-281E-TR2G 规格参数

作为Broadcom博通（AVAGO安华高科技）推出的一款表面贴装射频肖特基二极管，HSMS-281E-TR2G采用了紧凑的SOT-323（SC-70）封装，其核心架构为一对共阳极配置的肖特基结。这种设计在单个微型封装内集成了两个独立的二极管，共享一个阳极引脚，为电路布局提供了更高的集成度和灵活性，特别适合需要对称或平衡信号处理的应用。

该器件在射频信号处理方面表现出色，其关键特性源于优化的肖特基势垒。在零偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至1.2pF，这一低结电容特性有效减少了高频信号路径上的寄生效应，确保了在UHF乃至更高频段下仍能保持良好的信号完整性。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻仅为15欧姆，这带来了低正向压降和低导通损耗，有助于提升检波或混频电路的效率与灵敏度。

在电气参数方面，HSMS-281E-TR2G具备20V的最大峰值反向电压和1A的最大正向电流，提供了可靠的鲁棒性。其工作结温高达150°C，确保了在宽温度范围内的稳定性能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值，工程师在选型时可咨询专业的Broadcom代理商以获取库存、替代方案或技术支持。

得益于其低电容、低串联电阻以及微型封装，该芯片非常适合应用于对空间和频率响应有苛刻要求的场景。典型应用包括微波频段的信号检波、低功耗混频器、射频识别（RFID）读写器前端以及便携式通信设备中的高频开关电路。其共阳极结构也常用于平衡混频器或倍频器设计，以实现更好的端口隔离和噪声抑制。