HSMS-281F-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-281F-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-281F-TR1G 规格参数

HSMS-281F-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑型SOT-323（SC-70）封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管，这种架构特别适用于需要高频信号处理的平衡混频器、检波器以及倍频电路。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻，在0V偏压和1MHz测试条件下，典型结电容仅为1.2pF，而在5mA正向电流下，串联电阻低至15欧姆，这确保了其在射频（RF）和微波频段具有出色的信号完整性与低损耗特性。

该二极管对的功能设计聚焦于高频应用。其20V的最大反向峰值电压与1A的最大正向电流能力，为信号处理提供了可靠的动态范围保障。肖特基势垒结构带来的快速开关特性，结合微小的封装尺寸，使其能够高效地应用于高速信号路径中，进行精确的整流、检波或信号切换。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能参数，使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值。对于有相关需求的工程师，通过可靠的Broadcom代理商渠道获取库存或替代方案信息是必要的步骤。

在电气参数方面，HSMS-281F-TR1G的优异性能直接体现在其高频特性上。极低的寄生参数（电容与电阻）最大限度地减少了信号衰减和相位失真，这对于维持高频电路的增益和带宽至关重要。其工作结温高达150°C，提供了良好的热稳定性，适应较为严苛的工作环境。SOT-323封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备高密度集成的趋势，便于自动化贴装生产。

基于其技术特性，HSMS-281F-TR1G典型应用于移动通信设备、无线局域网（WLAN）模块、卫星接收前端等领域的射频电路中。具体场景包括作为平衡混频器的核心非线性元件，实现频率的上变频或下变频；在功率检测或信号强度指示（RSSI）电路中用作检波器；亦可用于低阶倍频器或高速采样保持电路。其设计平衡了性能、尺寸与成本，曾是射频前端模块中实现关键功能的常用分立解决方案之一。