HSMS-281K-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-281K-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-281K-TR2G 规格参数

HSMS-281K-TR2G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装射频肖特基二极管对。该器件采用紧凑的SOT-363（SC-88）封装，内部集成了两个相互隔离的肖特基二极管，这种隔离式设计有效降低了两个二极管之间的寄生耦合，使其特别适合于需要高隔离度的平衡混频器、检波器以及开关电路等应用。其核心架构基于肖特基结技术，通过金属-半导体结实现快速开关与低正向压降特性，为高频信号处理提供了基础。

在功能特性方面，该二极管对在射频与微波频段表现出色。其极低的结电容（典型值1.2pF @ 0V, 1MHz）是关键的射频性能指标，确保了在高频工作状态下信号路径的容性负载最小，从而减少信号损耗与失真。同时，其较低的串联电阻（典型值15欧姆 @ 5mA, 1MHz）有助于降低二极管的导通损耗，提升整机效率。高达150°C的结温（TJ）工作能力，赋予了器件良好的热可靠性，适用于环境要求较为严苛的场合。用户可通过博通授权代理获取该产品的完整技术资料与供应链支持。

从接口与参数来看，HSMS-281K-TR2G定义了明确的电气边界。其峰值反向电压最大值为20V，最大正向电流为1A，这为电路设计中的电压与电流裕量提供了参考。紧凑的6引脚TSSOP封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化贴装生产，适合高密度集成的现代电子设备。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应予以考虑，但对于现有设备的维护与备件供应仍有其价值。

在应用场景上，凭借其优异的射频特性，HSMS-281K-TR2G广泛应用于无线通信基础设施、卫星通信终端、测试与测量设备以及雷达系统中的信号检波、混频与低功率开关功能。其平衡对结构使其成为构建双平衡混频器的理想选择，能够有效抑制本振泄漏，提高动态范围。此外，在低功耗射频能量采集与标签识别等新兴领域，其高效率的整流特性也能发挥作用。