HSMS-282K-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-282K-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-282K-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-282K-TR1G采用了先进的隔离式对管架构。其内部集成了两个独立的肖特基二极管，它们被物理隔离在同一硅片上，这种设计有效降低了两个二极管之间的寄生耦合，为需要高隔离度的平衡混频器、倍频器以及高速开关电路提供了理想的解决方案。该器件采用紧凑的SOT-363（SC-88，6-TSSOP）封装，在极小的占板面积内实现了高性能的射频功能集成。

该芯片的核心优势在于其卓越的射频性能参数。在0V偏置、1MHz测试频率下，其结电容（Cj）典型值仅为1pF，这一极低的寄生电容特性使其能够工作在极高的频率下，对信号造成的损耗和失真极小。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻（Rs）为12欧姆，保证了良好的导通特性与信号传输效率。其峰值反向电压（VRRM）为15V，最大正向电流（IF）可达1A，结合高达150°C的结温（TJ）工作能力，展现了其坚固的电气特性与良好的热稳定性，能够适应较为严苛的工作环境。

在接口与参数方面，HSMS-282K-TR1G的“1对隔离式”结构意味着两个二极管拥有独立的阳极和阴极引脚，为电路设计提供了极大的灵活性。工程师可以将其配置为共阴极或共阳极模式，或者作为两个完全独立的器件使用，以满足不同的电路拓扑需求。其SOT-363表面贴装封装符合现代电子设备小型化、高密度的生产趋势，便于自动化贴装并节省宝贵的PCB空间。需要指出的是，该产品目前状态为停产，在选型时需考虑替代方案或库存供应，用户可通过正规的博通授权代理渠道获取最新的产品信息与技术支持。

基于其优异的频率响应和开关特性，该器件非常适合应用于微波混频与检波、UHF至Ku波段的信号处理、高速脉冲整形以及低功耗射频能量收集等场景。例如，在通信接收机前端，它可以作为低损耗、高线性的肖特基检波器；在测试测量设备中，可用于构建高性能的采样保持电路或峰值检测器。其平衡对管结构尤其适合用于需要良好端口隔离和本振泄漏抑制的镜像抑制混频器或双平衡混频器设计，是射频工程师实现高性能、小型化电路设计的经典选择之一。