HSMS-282N-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-282N-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-282N-TR1G 规格参数

在射频信号处理与高频电路中，HSMS-282N-TR1G是一款采用肖特基势垒技术的表面贴装二极管阵列。其核心架构由两对独立的肖特基二极管以共阳极形式集成于单一芯片之上，这种设计在紧凑的物理空间内实现了多路信号的并行处理或平衡配置能力，为电路布局提供了高度的灵活性并有效节省了PCB面积。该器件基于安华高科技（现为Broadcom博通）成熟的半导体工艺制造，确保了在射频应用中的稳定性和一致性。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的高频性能上。其极低的结电容（典型值1pF @ 0V， 1MHz）是保障其在UHF乃至更高频段下保持低信号损耗和良好隔离度的关键，使得信号能够以最小的失真通过。同时，在正向电流为5mA、1MHz条件下，其串联电阻仅为12欧姆，这有助于降低导通压降和功率损耗，提升整体电路效率。其峰值反向电压为15V，最大正向电流为1A，结合高达150°C的结温工作能力，赋予了其在多种工作条件下的可靠性与耐用性。用户可通过博通授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面，该器件采用标准的6引脚SOT-363（SC-88， TSSOP-6）封装，兼容自动化表面贴装生产线，便于大规模集成。其电气参数，如低电容、低串联电阻和高截止频率，共同定义了它在射频领域的应用边界。这些参数使其特别适合于要求快速开关和低损耗的小信号处理场景。

基于上述特性，HSMS-282N-TR1G典型的应用场景广泛覆盖了通信与测量领域。它常被用于混频器、检波器、采样保持电路以及高频开关电路中，作为核心的非线性元件。在便携式无线设备、卫星通信前端、测试仪器及雷达模块中，都能发现其用于信号解调、频率转换或逻辑控制功能。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有系统维护和特定设计项目中，它仍然是一个经过验证的高性能选择。