HSMS-282P-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-282P-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-282P-TR1G 规格参数

在射频信号处理与高频电路中，HSMS-282P-TR1G是一款采用肖特基势垒技术构建的射频二极管，其核心架构为两对串联的肖特基结。这种设计优化了高频下的性能表现，通过串联结构有效提升了器件的反向击穿电压能力，同时保持了肖特基二极管固有的低开启电压和快速开关特性，使其在GHz频段内仍能保持优异的非线性响应。

该器件在功能上展现出显著的优势。其反向峰值电压达到15V，为信号处理提供了可靠的电压裕度。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为1pF，这一极低的寄生电容特性是其在射频应用中保持高频性能、减少信号损耗和失真的关键。此外，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻为12欧姆，较低的导通电阻有助于降低信号路径上的插入损耗，提升系统效率。其最高结温可达150°C，确保了在较高环境温度下的工作稳定性。

从接口与参数来看，博通一级代理提供的这款器件采用紧凑的6引脚TSSOP（SC-88， SOT-363）封装，这种微型封装非常适合高密度PCB布局，满足现代便携式和空间受限的电子设备需求。其最大正向电流为1A，能够处理一定的功率电平。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在特定存量或延续性设计中仍具有重要参考价值和技术吸引力。

在应用场景方面，HSMS-282P-TR1G凭借其低电容、低串联电阻和快速开关速度，非常适合用于高频检波、混频器、低功耗射频开关以及信号采样保持电路中。它常见于无线通信模块、测试测量设备、雷达接收前端以及各类需要高效高频信号整流的场合。工程师在选择此类关键射频元件时，需综合考虑其频率响应、寄生参数与电路的整体匹配性。