HSMS-282Y-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-282Y-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-282Y-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-282Y-TR1G采用了先进的肖特基势垒半导体工艺。其核心架构基于金属-半导体结原理，相较于传统的PN结二极管，该结构在正向导通时具有更低的开启电压和更快的开关速度，这使其在射频信号处理中表现出色。器件采用紧凑的SC-79（SOD-523）封装，这种微型化设计不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的寄生参数表现。

该二极管在射频应用中的关键优势在于其极低的结电容和串联电阻。在0V偏压和1MHz测试条件下，其典型结电容仅为1pF，这确保了在高频信号路径中引入的损耗和信号失真被降至最低。同时，在5mA正向电流和1MHz条件下，其典型串联电阻为12欧姆，较低的电阻值有助于减少信号衰减并提升整体系统效率。其峰值反向电压（VRWM）为15V，最大正向电流（IF）为1A，提供了足够的操作余量。值得注意的是，其结温（TJ）最高可支持150°C，展现了良好的热可靠性。

在接口与参数层面，HSMS-282Y-TR1G作为单管芯肖特基二极管，其双引脚SOD-523封装便于表面贴装（SMT）生产。其电气参数，特别是低电容和低电阻的组合，使其非常适合用于高频信号的检波、混频、低功耗整流以及高速开关电路。例如，在便携式通信设备、无线模块、RFID读写器以及测试测量仪器中，它常被用于信号解调或作为保护电路的一部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多既有设计和特定需求场景中，它依然是一个经典的选择。对于需要获取此类经典博通射频元器件的工程师，可以通过正规的博通代理商渠道咨询库存或替代方案信息。