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HSMS-2862-TR2G 零件图片(仅供参考)

HSMS-2862-TR2G
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HSMS-2862-TR2G 规格参数

作为一款经典的射频肖特基二极管对,HSMS-2862-TR2G采用了一对串联的肖特基结架构。这种设计将两个二极管单元集成在单个芯片上,其核心优势在于极低的结电容和串联电阻,这对于维持高频信号的完整性至关重要。该器件在零偏压、1MHz测试条件下的典型结电容仅为0.3pF,确保了在射频路径中引入最小的信号损耗和相位失真,使其能够胜任高达数GHz频率范围的应用。

该二极管对的功能特性围绕其射频检波与混频能力展开。其4V的最大峰值反向电压(VRWM)提供了适中的信号处理范围,而肖特基势垒固有的低开启电压特性,则赋予了它出色的灵敏度和快速开关响应。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计所体现的高性能指标,如高达150°C的结温(TJ)工作能力,证明了其在严苛环境下的可靠性。对于仍在寻求此类成熟解决方案的设计师,可以通过专业的Broadcom代理商获取库存或替代建议。

在物理接口与封装方面,HSMS-2862-TR2G采用了标准的SOT-23-3(亦称SC-59或TO-236-3)表面贴装封装。这种紧凑的三引脚封装极大地节省了PCB空间,非常适合高密度电路板布局。其引脚排列经过优化,便于将串联的二极管对无缝集成到平衡混频器、检波器或射频开关电路中,简化了外围的匹配网络设计。

基于上述技术参数,该器件的典型应用场景主要集中在需要高频率、低损耗处理的领域。它常被用于微波频段的信号检波、低功耗混频器的核心非线性元件,以及低插损的射频开关设计。在测试测量设备、卫星通信接收前端以及便携式无线设备的射频模块中,都能找到此类高性能肖特基二极管对的身影,其低电容特性对于提升系统整体带宽和灵敏度具有直接贡献。

  • 型号:HSMS-2862-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):4V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • HSMS-2862-TR2G,Broadcom(博通)产品一站式供应商。
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HSMS-2862-TR2G 基本参数:

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