HSMS-286B-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286B-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286B-TR1G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-286B-TR1G采用了先进的肖特基势垒技术，其核心架构基于金属-半导体结原理，旨在实现极低的正向压降和超快的开关速度。该器件采用单管芯设计，通过优化的半导体材料和精密的制造工艺，确保了在射频信号处理中具有出色的高频响应特性与稳定性，为高频电路提供了可靠的检波与混频功能基础。

该二极管的功能特点突出体现在其卓越的高频性能上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容（Cj）典型值仅为0.25pF，这一极低的寄生电容特性对于维持高频信号的完整性至关重要，能有效减少信号损耗和失真。同时，其峰值反向电压（VRRM）为4V，适用于低电压工作环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格依然体现了对高频应用的深度考量，最高结温（TJ）可达150°C，展现了良好的热可靠性。

在接口与参数方面，HSMS-286B-TR1G采用紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，这种微型封装非常适合高密度PCB布局，有助于缩小整体电路板尺寸。其电气参数，特别是极低的结电容和适中的反向电压，使其接口特性能够很好地匹配于高频传输线，工程师在从可靠的Broadcom代理商处获取库存或替代方案时，需重点关注这些核心参数以确保系统兼容性。

基于其技术特性，该芯片典型应用于需要高频信号处理的领域。它非常适合用于微波混频器、射频检波器以及低功耗UHF频段的信号采样电路中。此外，在移动通信设备、卫星接收前端模块以及测试测量仪器的射频前端，此类低电容肖特基二极管常被用于实现高效的频率转换和信号检测功能，是构建高性能射频链路的关键无源元件之一。