HSMS-286C-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286C-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286C-TR2G 规格参数

作为一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-286C-TR2G采用了独特的1对串联肖特基结芯架构。这种串联结构设计，不仅有效提升了器件的峰值反向电压承受能力，使其达到4V，更关键的是优化了高频信号路径，使其在射频应用中表现出更低的插入损耗和更优的阻抗匹配特性。其核心半导体材料与结型工艺确保了在高达150°C的结温下仍能保持稳定的电气性能，这对于高密度或高温环境下的应用至关重要。

该器件的一个突出功能特点是其极低的结电容，在0V偏压和1MHz测试条件下，典型值仅为0.25pF。这一特性直接决定了它在高频乃至微波频段下的优异表现，极低的寄生电容意味着更小的信号衰减和更高的截止频率，使其非常适合于处理高速开关信号和高频小信号检波。串联对管的结构也使其在平衡混频器、倍频器等电路中能够提供更好的端口隔离和对称性，从而提升整体电路的性能。

在接口与参数层面，HSMS-286C-TR2G采用了紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，满足了现代电子产品小型化的趋势，其良好的封装寄生参数控制也进一步保障了高频性能。虽然该器件目前已处于停产状态，但其经典的设计和可靠的性能使其在特定领域和存量项目中仍有需求，用户可通过正规的博通授权代理渠道获取原装正品，以确保设计的一致性与长期可靠性。

基于其技术特性，该芯片典型的应用场景集中在射频前端和信号处理领域。它常被用于微波检波器、低功耗肖特基二极管混频器、平衡调制器以及频率高达数GHz的射频开关电路中。其低电容、高开关速度的特性也使其适用于高速脉冲整形和采样保持电路。在通信设备、测试仪器、雷达模块以及各类需要高频信号精确处理的电子系统中，都能找到其用武之地，是工程师实现高性能射频功能的一个经典基础元件选择。