HSMS-286F-TR2G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286F-TR2G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286F-TR2G 规格参数

HSMS-286F-TR2G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装射频肖特基二极管对。该器件采用紧凑的SC-70（SOT-323）封装，其核心架构为一对共阴极配置的肖特基势垒二极管，这种设计特别适用于需要高频信号处理的平衡混频器、检波器以及倍频电路。其内部结构经过优化，旨在最小化寄生参数，确保在微波频段仍能保持优异的性能。

该芯片的功能特点突出体现在其极低的结电容和快速开关特性上。在零偏压、1MHz测试条件下，其典型结电容仅为0.25pF，这一关键参数使其能够高效处理高频信号，显著减少对电路带宽的限制和信号损耗。其峰值反向电压为4V，适用于低电压工作环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量应用和设计中仍具参考价值。对于需要此类经典器件的用户，可以通过专业的博通芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

在接口与参数方面，HSMS-286F-TR2G采用三引脚SOT-323封装，其中两个阳极引脚和一个共阴极引脚，便于在射频电路板上进行布局和焊接。其工作结温高达150°C (TJ)，提供了较宽的工作温度范围，增强了在苛刻环境下的可靠性。低结电容与肖特基二极管固有的低正向压降特性相结合，使其在微弱信号检波和高速开关应用中表现出色。

典型的应用场景涵盖通信和测试测量设备领域，例如在手机、无线局域网模块、卫星接收器等设备的混频级和检波级中作为核心非线性元件。它也常用于射频识别（RFID）阅读器的信号解调，以及频谱分析仪中的峰值检波电路。其小型化封装和优异的射频特性，使其成为对电路板空间和频率响应有严格要求的高密度射频前端设计的经典选择之一。