HSMS-286K-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286K-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286K-TR1G 规格参数

HSMS-286K-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑的SOT-363（SC-88）封装。该器件内部集成了两个电气隔离的肖特基二极管，这种隔离式设计有效减少了两个二极管之间的寄生耦合，使其特别适合于需要高隔离度的平衡混频器、倍频器以及射频开关等电路拓扑。其核心半导体结构基于金属-半导体结，实现了极低的正向压降和超快的开关速度，这是其在射频领域得以广泛应用的基础。

该二极管对的关键电气特性使其在GHz频段表现出色。在0V偏置、1MHz测试条件下，其结电容（Cj0）典型值仅为0.25pF，这一极低的寄生电容是保证高频性能的核心，能显著减少对高频信号的衰减和相位失真，确保电路在宽频带内保持平坦的响应。同时，其峰值反向电压（VRRM）为4V，适用于低电压摆幅的射频信号处理环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统和备件市场中仍有一席之地，工程师在选型时可通过专业的Broadcom代理商获取库存或替代建议。

在接口与参数方面，该器件采用6引脚TSSOP封装，两个二极管独立引出，为电路板布局提供了灵活性。其工作结温（TJ）高达150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。极低的结电容与隔离结构相结合，直接转化为优异的射频性能指标，如高隔离度和低插入损耗。

基于上述特性，HSMS-286K-TR1G典型应用于微波通信设备、卫星接收LNB（低噪声下变频器）、测试仪器中的检波与采样电路，以及高达数GHz的混频器设计。其在平衡混频器架构中，能有效抑制本振泄漏，提高动态范围；在低功耗检波器中，其肖特基结的低开启电压特性可实现高灵敏度的信号检测。这款器件是早期和现有许多射频前端模块中实现关键非线性功能的经典选择。