HSMS-286P-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286P-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286P-TR1G 规格参数

HSMS-286P-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑的SOT-363（6-TSSOP）封装。该器件内部集成了两对串联的肖特基二极管，这种架构使其在射频信号路径中能够提供对称的非线性特性，特别适用于需要平衡信号处理或倍频功能的电路设计。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻，在零偏压、1MHz测试条件下，典型结电容仅为0.25pF，这确保了在高达数GHz的高频范围内仍能保持优异的信号完整性和低插入损耗。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。极低的寄生参数使其成为高频检波、混频以及低功耗射频信号采样应用的理想选择。其峰值反向电压为4V，适用于低电压摆幅的射频环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量或延续性项目中仍有应用价值。对于需要此类高性能射频二极管的工程师，通过正规的博通授权代理渠道获取原装正品，是保障设计可靠性与供应链稳定的关键。

在接口与参数方面，HSMS-286P-TR1G采用标准的表面贴装引脚，便于自动化生产。其工作结温高达150°C，提供了较宽的温度适用范围，增强了在复杂环境下的可靠性。关键的电气参数，如低结电容和肖特基二极管固有的快速开关特性，共同决定了其在射频前端电路中的核心作用。这些参数直接影响了电路的频率响应、灵敏度和转换效率，是进行高频电路精细化设计时必须考量的基础。

在应用场景上，这款器件传统上广泛应用于无线通信模块、卫星接收前端、测试测量设备（如频谱分析仪）以及雷达系统中的信号检测环节。其出色的高频特性使其能够在混频器中作为非线性元件，或在功率检测电路中实现射频信号到直流信号的精确转换。尽管面临产品生命周期的更迭，HSMS-286P-TR1G所代表的高频肖特基二极管技术方案，其设计思路与性能要求依然是当前许多射频集成电路设计的参考基准。