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HSMS-286R-TR2G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑的6-TSSOP（SC-88，SOT-363）封装。该器件内部集成了两对串联的肖特基二极管，这种架构使其在射频信号路径中能够提供对称的电气特性，特别适用于需要平衡处理或倍频功能的电路设计。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻，在0V偏压和1MHz测试条件下，典型结电容值仅为0.25pF，这确保了在高频环境下信号传输的完整性，并最大限度地减少了由寄生参数引入的损耗和失真。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。极低的寄生电容使其能够工作在极高的频率范围，非常适合微波及射频应用。4V的最大峰值反向电压为其在低电压信号处理环境中提供了足够的保护裕量。尽管其最大工作电流和功率耗散未在标准参数中明确标注，但其高达150°C的结温（TJ）表明了其具备良好的热稳定性，能够在相对严苛的环境下保持性能。其SOT-363封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备高密度组装的需求。用户可以通过博通授权代理获取该产品的技术支持和供应链服务。

在接口与参数层面，HSMS-286R-TR2G作为一款无源器件，其接口即为封装上的六个引脚，对应内部两对串联二极管的阳极和阴极连接。关键电气参数，如低至0.25pF的结电容和4V的VRRM，共同定义了其在电路中的角色一个高速、低损耗的开关或非线性元件。这些参数使其在信号路径中引入的相位噪声和插入损耗极低，是追求高信号质量设计的理想选择。

基于上述特性，HSMS-286R-TR2G典型的应用场景集中在高频电子领域。它常被用于微波混频器、平衡调制解调器以及频率倍增器（如倍频器）电路中，利用其肖特基结的非线性特性实现频率变换。此外，在需要高速信号采样或精密检波的场合，例如雷达接收前端、测试测量仪器及高速通信模块中，其快速开关特性和低电容优势也能得到充分发挥。需要注意的是，该产品状态已标注为“停产”，在新设计选型时需考虑替代方案或库存供应，但在既有设备维护或特定存量产品生产中，它依然是一个性能可靠的关键元器件。

• 制造商产品型号：HSMS-286R-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 2 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• HSMS-286R-TR2G，Broadcom（博通）产品一站式供应商。