HSMS-286Y-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-286Y-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-286Y-TR1G 规格参数

HSMS-286Y-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管，专为射频（RF）应用而优化。该器件采用单芯片肖特基架构，其核心在于利用金属-半导体结形成的势垒，相较于传统的PN结二极管，具有更低的正向压降和更快的开关速度，这对于高频信号的检波、混频和开关至关重要。其内部结构经过精心设计，以最小化寄生参数，确保在微波频段仍能保持优异的性能。

该二极管的一个突出特性是其极低的结电容，在0V偏压和1MHz测试频率下典型值仅为0.3pF。这一超低电容值直接转化为卓越的高频性能，能有效减少信号路径上的损耗和失真，使其在GHz频段的应用中表现出色。同时，其峰值反向电压（VRM）为4V，适用于低电压摆幅的射频电路环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设计和备件供应中仍有需求，用户可通过正规的博通授权代理渠道获取原装正品，以确保系统的长期可靠性和性能一致性。

在接口与参数方面，HSMS-286Y-TR1G采用紧凑的SOD-523（SC-79）封装，非常适合高密度PCB布局。其工作结温（TJ）高达150°C，提供了宽泛的工作温度范围，增强了在苛刻环境下的可靠性。虽然其最大连续电流和功率耗散在标准参数表中未明确标注，这是由其作为小信号射频器件的定位所决定的，它主要处理的是微瓦到毫瓦级的射频信号，而非功率应用。

基于其技术特点，HSMS-286Y-TR1G典型应用于移动通信设备、卫星接收模块、微波探测传感器以及测试测量仪器中的射频信号检波、低功耗混频和高速开关电路。它在需要高灵敏度、低插入损耗和快速响应的场合发挥着关键作用，是工程师在实现高性能射频前端设计时的经典选择之一。