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HSSR-7112-100 零件图片(仅供参考)

HSSR-7112-100
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HSSR-7112-100 规格参数

HSSR-7112-100是一款由Broadcom博通(AVAGO安华高科技)设计制造的单通道、高隔离电压功率MOSFET栅极驱动光耦。该器件采用先进的隔离架构,其核心在于内部集成了一个高效的AlGaAs红外发光二极管(LED)与一个高速、高增益的光电探测器,两者通过专有的光学绝缘材料进行物理隔离,从而在输入与输出之间构建起一道坚固的电气屏障。这种设计确保了信号能够无电气连接地跨越高电压差进行传输,同时有效抑制共模噪声,为功率开关器件的驱动提供了安全、可靠的隔离解决方案。

在功能特性上,该光耦具备高达1500VDC的持续工作隔离电压,能够承受严苛的工业电压环境。其输入侧设计为直流兼容,简化了前端控制电路的设计。输出侧采用优化的功率MOSFET驱动结构,能够提供足够的峰值输出电流,以快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电,从而显著降低开关损耗并提升系统效率。器件支持-55°C至125°C的宽工作温度范围,确保了在极端环境下的稳定性和可靠性。其采用8-SMD对接的表面贴装封装,不仅节省了PCB空间,也便于自动化生产,提升装配效率。

从接口与参数来看,HSSR-7112-100的电气接口简洁明了。输入侧为标准的LED驱动接口,用户需通过限流电阻进行控制;输出侧则直接驱动功率MOSFET的栅极。其关键参数,如高隔离电压、宽温工作能力以及快速的开关特性,共同定义了其在高压应用中的核心价值。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的博通一级代理进行采购与咨询,以确保获得正品和完整的供应链服务。

基于其强大的隔离与驱动能力,HSSR-7112-100非常适合应用于需要高电压隔离的功率转换与控制场景。典型应用包括工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、通信电源以及各类变频器中的功率MOSFET或IGBT栅极驱动。在这些系统中,它有效地将低压控制电路与高压主功率电路隔离开,保护了控制端的安全,并确保了功率开关器件高效、精确的开关动作,是构建高可靠性电力电子系统的关键组件之一。

  • 型号:HSSR-7112-100
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:8-SMD 对接
  • 类目:隔离器 > 专用隔离器
  • 描述:OPTOISO 1.5KV PWR MOSFET 8SMD BJ
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 类型:功率 MOSFET
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:1500VDC
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):-
  • 输入类型:DC
  • 电流 - 输出/通道:1.6A
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):6ms,0.25ms
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.24 V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):20 mA
  • 电压 - 供电:-
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SMD 对接
  • 供应商器件封装:8-SMD 对接
  • 认证机构:-
  • HSSR-7112-100,Broadcom(博通)产品一站式供应商。
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HSSR-7112-100 基本参数:

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