IAM-92516-TR2（Broadcom博通，射频和无线 > 射频混频器，封装:16-LPCC（3x3））

IAM-92516-TR2 零件图片（仅供参考）

IAM-92516-TR2 规格参数

作为一款采用GaAs FET工艺的射频混频器芯片，IAM-92516-TR2集成了高性能的单通道混频器核心。其架构基于成熟的砷化镓场效应晶体管技术，确保了在射频信号处理过程中具备出色的线性度和转换效率。该芯片采用紧凑的16引脚LPCC封装，专为表面贴装应用而设计，便于集成到高密度的电路板布局中。

该器件的一个突出特性是其12.5dB的典型噪声系数，这一指标对于接收机前端的灵敏度至关重要，能够有效降低系统整体噪声，提升弱信号检测能力。在供电方面，芯片在10V单电压下工作，典型供电电流为26mA，功耗控制在一个合理的水平，兼顾了性能与能效。虽然其具体的射频工作频率范围在标准参数中未明确标注，但结合其工艺和系列定位，它适用于需要高动态范围和良好隔离度的中频至射频频率转换场景。

IAM-92516-TR2的接口设计围绕其混频器功能展开。作为单混频器芯片，它提供了标准的本振（LO）、射频（RF）和中频（IF）端口，支持上变频或下变频操作。其表面贴装型的16-VFQFN封装不仅提供了良好的热性能和电气连接可靠性，也符合现代自动化生产的需求。值得注意的是，该器件目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑供应链的延续性或替代方案，届时可以咨询专业的Broadcom代理商以获取最新的产品生命周期支持与库存信息。

在应用层面，这款芯片典型适用于对噪声性能和线性度有较高要求的通信基础设施设备，例如基站收发信台中的混频级、微波点对点无线电链路以及测试测量仪器中的频率转换模块。其GaAs FET技术带来的优势使其能够在复杂的射频环境中保持稳定的性能，是构建高性能射频前端或中频处理单元的可选组件之一。