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5082-3080#T25 零件图片(仅供参考)

5082-3080#T25
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5082-3080#T25 规格参数

Broadcom博通(AVAGO安华高科技)推出的5082-3080#T25是一款采用轴向封装的PIN二极管射频开关器件。其核心架构基于高性能的单PIN结设计,通过精确控制PIN二极管在正向偏置(低阻抗)与反向偏置(高阻抗)状态之间的切换,实现对射频信号路径的有效导通与隔离,从而完成高速、低损耗的开关功能。这种设计使其在射频前端电路中扮演着关键角色,尤其适用于需要快速切换和高隔离度的应用环境。

该器件的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。其极低的结电容(0.4pF @ 50V, 1MHz)是核心优势之一,这确保了在高频工作状态下信号路径的寄生效应最小化,从而维持了良好的信号完整性和带宽性能。同时,在正向偏置条件下,它表现出较低的串联电阻(2.5欧姆 @ 100mA, 100MHz),这直接转化为较低的插入损耗,有助于提升整个射频链路的效率。其高达100V的峰值反向电压提供了宽裕的安全工作裕度,增强了电路的可靠性。对于需要稳定供应链的客户,可以通过专业的Broadcom代理商获取原厂正品和技术支持。

在接口与关键参数方面,5082-3080#T25采用经典的DO-35(DO-204AH)轴向玻璃封装,这种封装形式具有良好的高频特性和机械稳定性,便于在传统PCB板上进行安装或用于同轴组件中。其最大正向电流为100mA,最大功率耗散为250mW,这些参数定义了其驱动条件和热管理边界。结合其低电容和低电阻的特性,该器件能够在从高频到甚高频乃至部分超高频的频段内稳定工作。

基于上述技术特性,5082-3080#T25非常适合应用于对开关速度和射频性能有较高要求的场景。典型应用包括通信系统中的天线调谐与切换电路、测试与测量设备中的射频信号路由、以及雷达或电子对抗设备中的快速波束形成网络。其稳健的设计也使其成为工业射频控制、业余无线电设备升级等项目中值得信赖的元件选择。

  • 型号:5082-3080#T25
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:100 mA
  • 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
  • 5082-3080#T25,Broadcom(博通)产品一站式供应商。
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5082-3080#T25 基本参数:

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