AFBR-S4N44P163（Broadcom博通，传感器，变送器 > 光学传感器

AFBR-S4N44P163 零件图片（仅供参考）

AFBR-S4N44P163 规格参数

Broadcom博通（AVAGO安华高科技）推出的AFBR-S4N44P163是一款专为高灵敏度紫外光探测设计的光电二极管阵列传感器。该器件采用先进的雪崩光电二极管（APD）架构，在PN结上施加高反向偏压，使光生载流子在强电场下发生雪崩倍增效应，从而获得远高于普通PIN光电二极管的内生增益。这种设计使其在微弱光信号条件下，尤其是目标420nm紫外波段，能够实现出色的信噪比和探测灵敏度。

该传感器的核心功能特性围绕其紫外增强能力展开。其光谱响应范围覆盖300nm至900nm，并在420nm波长处进行了针对性优化，对紫外线，特别是UVA波段具有卓越的响应度。其有效感光面积达到13.8mm，为捕获更多光子提供了物理基础。在电气特性上，器件典型暗电流低至500nA，这有助于降低系统本底噪声，提升检测精度；其最大直流反向电压（Vr）为26.9V，为APD工作提供了必要的偏置条件。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的Broadcom代理商获取原厂技术支持与供货保障。

在接口与物理规格方面，AFBR-S4N44P163采用表面贴装（SMT）封装，便于集成到现代自动化生产线上的各类PCB板中。其工作温度范围为-20°C至50°C，确保了在多种工业与商业环境下的稳定运行。这些参数共同定义了一个易于集成、性能稳定的硬件前端。

基于其技术特点，AFBR-S4N44P163非常适合应用于对紫外光敏感度要求极高的领域。例如，在荧光检测与分析设备中，用于激发光信号的探测；在火焰探测与紫外线指数监测系统中，作为关键的传感元件；也可集成于水质分析或化学物质检测仪器，用于特定波长的光谱分析。其阵列形式为多通道同步检测或光斑位置感知提供了可能，进一步拓展了在精密光学测量和自动化检测设备中的应用潜力。