ATF-36163-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET

ATF-36163-TR1G 零件图片（仅供参考）

ATF-36163-TR1G 规格参数

ATF-36163-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）射频场效应晶体管。其核心架构基于先进的III-V族化合物半导体工艺，通过异质结结构实现了优异的载流子迁移率和二维电子气特性，这为器件在微波频段下获得卓越的线性度与低噪声性能奠定了物理基础。该设计确保了在高达4GHz的工作频率范围内，信号放大过程具有高度的稳定性和一致性。

该器件在2V测试电压与15mA测试电流的典型工作点下，能够提供高达15.8dB的功率增益，同时维持极低的噪声系数，典型值仅为0.6dB。这一高增益与超低噪声的出色组合，使其在接收链路的前端放大中能有效提升系统灵敏度。其额定工作电压为3V，最大额定电流为40mA，功耗控制优秀，非常适合电池供电的便携式设备。此外，在适当的偏置条件下，它能提供约5dBm的线性输出功率，展现了良好的信号处理能力。

在物理接口与封装方面，ATF-36163-TR1G采用了紧凑的6引脚SOT-363（也称为SC-88或6-TSSOP）表面贴装封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的电路板空间，也优化了高频下的寄生参数，有利于维持良好的射频性能。其参数特性，包括工作频率、增益、噪声和功耗，共同定义了它在射频系统中的核心价值。

基于上述技术特性，该晶体管主要面向对噪声和效率有严苛要求的射频应用场景。它是蜂窝基站、卫星通信低噪声放大器（LNA）、无线局域网（WLAN）前端以及各类测试测量设备中射频接收通道的理想选择。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具参考价值。对于需要此类高性能射频解决方案的工程师，通过可靠的博通中国代理渠道获取技术支持和产品信息至关重要。