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ATF-50189-TR2是Broadcom博通（AVAGO安华高科技）推出的一款高性能增强型赝配高电子迁移率晶体管（E-pHEMT）。该器件采用先进的半导体工艺，在射频前端设计中实现了优异的功率、效率和线性度平衡。其核心架构基于成熟的E-pHEMT技术，通过优化的材料结构和沟道设计，在2GHz及以下频段提供了卓越的射频性能，尤其适合对噪声和增益有严格要求的低噪声放大（LNA）及驱动级应用。

该芯片的功能特点突出体现在其低噪声系数（1.1dB）与高增益（15.5dB）的出色结合上，这使其在微弱信号放大场景中能有效提升系统灵敏度。同时，其输出功率可达29dBm，配合高达7V的额定工作电压和1A的额定电流能力，赋予了器件良好的功率处理能力和动态范围。在4.5V、280mA的典型测试条件下，器件能稳定工作，展现出E-pHEMT技术在高频下的高效率优势。对于需要可靠供应链与技术支持的用户，通过正规的博通一级代理进行采购，是获取正品器件与完整技术资料的重要途径。

ATF-50189-TR2采用标准的TO-243AA（SOT-89）封装，具有良好的散热性能和易于PCB布局的引脚设计，便于集成到紧凑的射频模块中。其接口参数针对射频应用进行了优化，在宽频带内保持稳定的阻抗特性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其经过市场验证的技术指标和可靠性，使其在特定存量或延续性项目中仍具有参考和应用价值。

在应用场景方面，这款晶体管主要面向要求苛刻的无线通信基础设施，如蜂窝基站的前端LNA、无线中继器、以及各类2GHz附近的射频驱动放大器。其低噪声和高增益特性也使其适用于测试测量设备、卫星通信接收链路等对信号完整性有高要求的专业领域。工程师在设计时需参考其详细的S参数和偏置条件，以充分发挥其性能潜力。

• 型号:ATF-50189-TR2
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-89
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V SOT89
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:15.5dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:1.1dB
• 电流 - 测试:280 mA
• 功率 - 输出:29dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89
• ATF-50189-TR2，Broadcom（博通）产品一站式供应商。