HBAT-5402-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HBAT-5402-TR1G 零件图片（仅供参考）

HBAT-5402-TR1G 规格参数

HBAT-5402-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计生产的表面贴装肖特基二极管对。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装，内部集成了一对串联的肖特基势垒二极管，其核心架构旨在实现高频信号路径中的低正向压降和快速开关特性，这对于射频与高速数字电路中的信号调理和钳位保护至关重要。

该二极管对的关键特性在于其优化的射频性能。其峰值反向电压（VRM）为30V，最大连续正向电流（IF）为220mA，能够在高达150°C的结温下稳定工作。其最大功耗为250mW，平衡了处理能力与小型化设计的需求。肖特基结构固有的低开启电压特性，使得该器件在微弱信号处理时能有效减少损耗，提升系统效率。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过博通中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）三引脚封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其设计针对射频应用进行了优化，尽管具体电容与电阻参数未在基础规格中详列，但肖特基二极管对的结构本身就意味着在高频下具有较低的结电容和更快的反向恢复时间，这对于维持信号完整性、减少谐波失真和串扰至关重要。

鉴于其技术规格，HBAT-5402-TR1G非常适合应用于对空间和频率响应有严格要求的场景。典型应用包括微波混频器、射频检波器、高频整流电路以及高速数字线路的ESD保护或电压钳位。在便携式通信设备、射频识别（RFID）读卡器模块以及测试测量仪器的前端电路中，此类高性能肖特基二极管对能够有效提升系统的灵敏度和可靠性。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需评估替代方案或库存供应。