HSMS-280F-TR1G（Broadcom博通，分立半导体产品 > 二极管

HSMS-280F-TR1G 零件图片（仅供参考）

HSMS-280F-TR1G 规格参数

HSMS-280F-TR1G是一款由Broadcom博通（AVAGO安华高科技）设计制造的表面贴装肖特基势垒二极管对，采用紧凑的SOT-323（SC-70）封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管，这种架构特别适用于需要高频信号处理的平衡混频器、检波器以及开关电路。其共阴极连接方式简化了电路板布局，减少了外部连线，有助于优化高频性能并降低寄生效应。

该芯片的核心优势在于其卓越的射频特性。它在零偏压、1MHz测试条件下的结电容典型值低至2pF，确保了在甚高频（VHF）至超高频（UHF）频段内具有极低的信号损耗和出色的频率响应。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻仅为35欧姆，这直接转化为低插入损耗和高转换效率，对于维持系统整体增益和灵敏度至关重要。其峰值反向电压高达70V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的工作裕量和良好的可靠性。

在接口与参数方面，HSMS-280F-TR1G的SOT-323封装使其非常适合高密度PCB组装。其工作结温高达150°C，增强了在严苛环境或高功率密度应用中的稳定性。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值，专业的博通芯片代理渠道是获取此类器件可靠来源的关键。其参数组合精准定位了高频、低损耗的应用需求。

这款二极管对典型应用于射频前端模块，例如在移动通信基站、卫星接收机、测试测量设备中用作混频或检波元件。其低电容和低电阻特性也使其成为高速开关和采样保持电路的理想选择。在要求小型化和高性能的便携式无线设备、射频识别（RFID）读写器等场景中，它能有效提升信号处理链路的性能边界。